集邦預測：2010年DRAM封測產能將吃緊

南科、華亞科12月營收一消一長 南科1/20法說公布財報
2010/01/04 15:56 鉅亨網

【鉅亨網記者葉小慧 台北】 DRAM大廠南科 (2408) 、華亞科 (3474) 今(4) 日公布2009年12月單月營收分別為新台幣49.64億元與4 6.68億元，分別月減18%和月增8%；南科單月營收下滑 ，主因製程轉換影響產出減少。南科預計於 1月20日舉 行法說會，屆時將公布2008年第 4季財報，以及未來營 運展望。

南科2009年12月營收為49.64億元，較11月60.51億 元減少約18%，較2008年同期14.31億元大幅成長約247% 。累計2009年全年營收為424.56億元，超越2008年363. 12億元約17%。

華亞科2009年12月營收為46.68億元，較11月43.19 億元成長8%，比2008年同期19.72億元成長約137%。累 計2009年全年營收為361.04億元，較2008年全年375.40 億元小幅減少約4%。

南科旗下12吋廠在2009年成功轉換製程至68奈米後 ，2009年底開始轉換至50奈米，同時南科在華亞科產能 也持續轉換製程至50奈米，產能因此受限，無法滿載開 出。南科50奈米已成功試產，預計今年第 1季進入量產 ，全數生產DDR3。

集邦：今年PC出貨成長超乎預期 DRAM封測產能將吃緊
2010/01/04 19:09 鉅亨網

【鉅亨網記者蔡宗憲 台北】 集邦科技(DRAMeXchange)今(4)天表示，根據調查 ，由於去(2009)年第 4 季歐美感恩節與聖誕節銷售暢 旺，加上經濟景氣復甦及Windows7帶動下，PC銷售表現 一路旺到年底，展望今(2010)年，Windows7 效益持續 ，帶動PC出貨成長，零組件將出現短缺，且電腦系統廠 大幅拉高搭載DDR3記憶體的機種數量，集邦因此估計DD R3封測產能吃緊情況將更嚴重。

由於去年NB出貨量大幅成長，集邦也將去年第 4 季NB出貨成長率，從原本的季增率8.7%上調至11.9%， 去年整體NB出貨規模將可達1.6億台，較2008年成長23. 5%，同時也調整今年整體PC出貨規模至3.15億台，預估 較去年成長13.1%，其中NB出貨成長更可大幅成長22.5% ，成為PC出貨的重要動能。

集邦表示，受到終端需求回溫、中國PC市場需求擴 大，以及英特爾(Intl將在今年第 1 季推出桌上型 與筆記型電腦的新平台Capella，今年第 1 季NB出貨量 只會比去年第 4 季微幅衰退10%之內，較歷年來單季跌 幅15-20%的表現還好，今年第 3 季單季成長率甚至有 可能突破30%。

再者，集邦也認為零組件供應吃緊的情況，將延續 至今年。自去年第 2 季以來，PC整機出貨量持續攀升 ，但零組件廠的產能回復仍相對緩慢，導致從第 2 季 末開始，零組件供應逐漸吃緊，第 3 季旺季效應更在W indows 7新機種提前鋪貨影響下，面臨龐大的供應壓力 ，包含光碟機、記憶體、繪圖晶片到被動元件等均有供 貨吃緊與缺貨狀況，影響系統廠實際出貨量落後接單。

集邦表示，今年筆電出貨量將比去年高出20%以上 ，目前為止，零組件廠產能仍沒有大幅增產，因此預估 今年零組件供應的情況恐將呈現全面性的緊張狀況，各 家電腦系統廠與品牌代工廠商無不積極備料及搶料。

同時，晶圓代工廠高階製程40nm良率一直無法有效 提升，期產能在未來 2 季也將達到滿載，高階製程相 關應用產品的晶片或IC產品恐也會有供貨吃緊的狀況， 集邦預計，在今年零組件供應仍有短缺的疑慮下，電腦 系統廠將提早至第 2 季備料，因此第 2 季零組件需求 可能淡季不淡。

更重要的，在後段封測方面，集邦認為今年下半年 DDR3封測產能將嚴重吃緊。根據集邦的調查，電腦系統 廠將在今年第 1 季大幅拉高DDR3機種比例至6-7成，使 DDR3在今年第 1 季正式成為主流記憶體。

集邦引用研究數據指出，今年第首季全球DDR3產出 達55%(佔全部標準型DRAM)，下半年DDR3產出將達80%以 上。

由於DDR3測試機台從廠商下訂單到出貨需要3-4的 月個前置時間，因此各封測廠為了趕上今年下半年DDR3 封測訂單需求，多加速採購DDR3測試機台，市場也傳出 DDR3測試機台廠商Advantest、Verigy產能有吃緊狀況 。

以台系封測產業而言，台灣DRAM封測廠以力成(623 9、福懋 (8131) 、聯測與華東 (8110) 最積極 轉進DDR3封測，力成在爾必達與金士頓加持之下，DDR3 測試機台數量居全台之冠，隨著爾必達與茂德(5387-TW )，接下來華邦 (2344) 的合作代工產能挹注之下，力 成已確定明年DDR3測試產能將再擴大；福懋也因南科(2 408與華亞科 (3474) 今年大量轉進DDR3，加上美 光在華亞科投單的晶圓也將送往福懋封測，因此福懋也 與測試機台廠商積極洽談機台訂單。

聯測也因南科轉進DDR3製程，決定增添DDR3測試機 台以服務南科；與爾必達關係良好的華東，也在華邦與 爾必達合作GDDR與40nm製程的DDR3顆粒，其封測產能有 望再往上提昇。

《半導體》法人：南科明年EPS挑戰5元，DRAM廠中最具爆發力
2009/12/31 10:21 時報資訊

【時報記者沈培華台北報導】法人表示，2010年DRAM價格有強力支撐，南科 (2408) 為DRAM廠中轉換50奈米製程進度最快者，2010獲利最具爆發力，預估南科明年EPS挑戰5元，轉虧為盈。

觀察明年DRAM市場供需狀況，需求受換機潮帶動大幅成長，供給因廠商節制資本支而增長有限，預估2010年全球DRAM需求成長45%，供給增加41%。由於需求成長大於供給，價格將得到強勁支撐。

南科12吋廠已開始用50奈米製程投片，預計明年第二季將完成大部分產能的轉換，50奈米達到12吋廠產能50%，為台灣DRAM廠中製程轉換進度最領先者。若製程轉換依預定進度完成，2010年的位元產出年成長率將接近七成。

法人指出，南科將在產出增加以及成本下降兩方面雙重受惠，加上南科在減資再增資後的股本為338.2億元，為台灣DRAM廠中股本最輕者，因此2010年的EPS成長將最具爆發力。

預期南科2010年營收逾860億，較今年的約430億倍增，EPS挑戰5元以上，相較今年的-6元，營運將轉虧為盈。